Pokazywanie postów oznaczonych etykietą pamięć ram. Pokaż wszystkie posty
Pokazywanie postów oznaczonych etykietą pamięć ram. Pokaż wszystkie posty

13 grudnia 2010

Pamięci RAM - DDR, DDR2 i DDR3 wszystko o pamięciach

Pamięci RAM - DDR, DDR2 i DDR3 wszystko o pamięciach


Autorem artykułu jest RatujPC




Zacznijmy od określenia czym jest moduł. Otóż na moduł składają się płytka PCB, kości
pamięci, kość SPD i drobne elementy elektroniczne. Popularnie mówi się pamięci RAM,
jednak chodzi tak naprawdę o moduły pamięci RAM.

Sama pamięć RAM to nic innego jak pojedyncza kość, których jest kilka na module. Obecnie używane moduły w komputerach PC to DIMM. Są też inne, jak np. SO-DIMM (stosowane w notebookach), czy RIMM (moduły
używane sporo wcześniej, stworzone przez firmę Rambus i popularyzowane przez Intela).


pamięć ram


Rodzaje pamięci


Rodzaj pamięci RAM uwarunkowany jest wykorzystywanym procesorem i płytą główną.
Wybierając pamięć należy zwrócić uwagę nie tylko na jej typ - ponieważ na rynku są już
dostępne od dłuższego czasu w coraz bardziej przyziemniej cenie moduły DDR3 o dobrych
parametrach. Ponadto nadal na różnego rodzaju giełdach bądź aukcjach internetowych
możemy nabyć starsze moduły typu DDR1, ale stanowczo odradzam inwestowanie pięniedzy
w ten typ modułów.


Wracając do tego na co należy zwracać uwagę podczas wyboru modułów DDR2 to jest to ich
częstotliwość pracy. W sprzedaŜy występuje kilka wariantów - od najwolniejszych i
niepolecanych modułów o szybkości 533MHz (PC2-533) poprzez nieco szybsze ale też mało
interesujące dla zapalonych graczy moduły 667MHz (PC2-667).W środku stawki dostępne są
moduły 800MHz i to już jest ciekawa propozycja, ponieważ dobre moduły 800MHz (PC2-
800) będą z reguły lepszym wyborem od standardowych modułów o szybkości 1066MHz
(PC2-1066) które są za drogie jak na swoje parametry.


Na samym czubie tabeli występują modele o szybkości 1300MHz (PC2-10400), szczególnie
model Team Xtreem DDR2 PC2-10400 (1300MHz) ale ze względu na ich wysoką cenę i
niską opłacalność, zakup tych modułów jest dość kontrowersyjny z punktu widzenia
normalnego użytkownika komputera. Jednak znajdą one zastosowanie w komputerach
służących do bicia różnego rodzaju rekordów w programach typu Super PI.


Dla końcowego użytkownika, oprócz wartości napięcia zasilającego i oczywiście
częstotliwości, ważne są również opóźnienia (Latency). Zwane są one też timingami.
Opóźnienie jest to czas, jaki upływa od zainicjowania np. odczytu komórki, do uzyskania jej
wartości. Dobry serwis komputerowy lub sklep na pewno poleci nam coś odpowiedniego.
Mierzy się je w cyklach zegarowych, jakim jest taktowany bufor I/O pamięci i oznacza
zamiennie poprzez t lub T. Oczywiście im mniejsze mają one wartości, tym lepiej, bo po
prostu krócej oczekujemy na wykonanie danego zadania.
Wartość napięcia, jakimi wg JEDEC, powinny być zasilane kości to 1.8V ±0.1V. Jednak
wielu producentów wybiega pozą tę normę. Wynika to z faktu, że chcą oni zapewnić jak
najlepsze (najszybsze) parametry pamięci, tj. częstotliwość i opóźnienia.
Podstawowymi timingami są CL, RCD, RP, RAS, CR. MoŜna równieŜ spotkać się z
oznaczeniami; tCL, tRCD, tRP, tRAS lub CL#, RCD#, RP#, RAS#. Skrót CL może być
również używany zamiennie z CAS, zaś RCD jako RAS to CAS.


Dalsza część opowieści i informacji o pamięciach w kolejnych artykułach.



---

poradnik ślubny



Artykuł pochodzi z serwisu www.Artelis.pl

06 grudnia 2010

Pamięci RAM - budowa i informacje ogólne cz.1

Pamięci RAM - budowa i informacje ogólne cz.1


Autorem artykułu jest RatujPC




Pamięci są układami logicznymi wykorzystywanymi do przechowywania, wydawania i przyjmowania zakodowanych danych informacyjnych. Podstawowym typem pamięci, powszechnie dzisiaj wykorzystywanym jest pamięć półprzewodnikowa.

Przekazywana informacja jest zapisywana w postaci binarnej, jest to więc ciąg zer i jedynek. Każdy z podstawowych elementów danej nazywany jest bitem, gdy połączymy ze sobą 8 bitów dostaniemy jeden bajt, natomiast 16 bitowy element nazywany jest słowem. Podstawowymi parametrami opisującymi każdy typ pamięci są:


Szybkość Pojemność Pobór mocy Koszt


Pojemność każdej pamięci, to ilość informacji którą dana pamięć jest w stanie przechować. Mierzy się ją zazwyczaj w bitach, bajtach i słowach. Wyrażana jest w kilobitach - kb, megabitach - Mb, gigabitach - GB, oraz analogicznie w kilobajtach - kB, megabajtach MB i w gigabajtach GB. Obecnie ilość pamięci mierzy się już tylko korzystając z miar megabajtów oraz gigabajtów. Pojemność pamięci jest zatem określana liczbą słów i długością słowa. Liczbę słów podaje się za pomocą odpowiednich przedrostków, którym odpowiadają określone mnożniki.


Zależności pomiędzy jednostkami pojemności:


1 KB pojemności odpowiada liczbie 1024 bajtów1 MB pojemności odpowiada liczbie 1024 * 1024 bajtów1 GB pojemności odpowiada liczbie 1024 * 1024 * 1024 bajtów


Szybkość jest parametrem określającym jak często procesor, lub inne urządzenie wykorzystujące pamięć mogą z niej korzystać. Szybkość pamięci jest określana kilkoma precyzyjnymi parametrami:


Czasem dostępu - access time. Jest to czas upływający od momentu w którym wysyłane jest żądanie dostępu do pamięci do czasu w którym informacja zwrotna ukaże się na jej wyjściu. Czas dostępu szybkich pamięci operacyjnych waha się w granicach od 20 do 200 ns.Czasem cyklu - cycle time. Jest to czas najkrótszy, który upływa między dwoma kolejnymi żądaniami dostępu do pamięci. Czas ten jest zawsze dłuższy od czasu dostępu, co wynika z fizycznej budowy pamięci, chodzi tu głównie o opóźnienia wnoszone przez wszystkie elementy elektroniczne.Szybkością transmisji - transfer speed. Szybkość transmisji mierzymy liczbą bitów, bądź bajtów, którą jesteśmy w stanie przesłać pomiędzy urządzeniem, a pamięcią. Ten parametr jest bardzo ważny w pamięciach, adresowanych ilością bitów większą od słowa, na przykład pamięci na dyskach magnetycznych. Ze względu na konieczność odczytu i zapisu bloku słów, mniej istotny staje się czas dostępu, natomiast ważniejszy jest czas w którym porcja danych może zostać przesłana. Szybkość transmisji mierzymy w bajtach lub bitach na sekundę.


Każda nowo wprowadzana technologia pozwala zmniejszyć koszt produkcji pamięci oraz ulepszyć zarazem jej parametry. Dlatego nowe pamięci dosyć szybko się starzeją, naturalnie pod względem technologicznym. Bardzo często czas użytkowania danego typu pamięci na przykład w komputerach klasy PC wynosi zaledwie kilka lat, później należy zaopatrzyć się w nowsze rozwiązania. Los taki spotkał popularne w latach sześćdziesiątych ubiegłego wieku ferrytowe pamięci rdzeniowe, które obecnie można spotkać już chyba tylko w muzeum. Na dzień dzisiejszy najniższym kosztem, a także dobrymi parametrami charakteryzują się pamięci półprzewodnikowe. Istnieje ich ogromne zróżnicowanie ze względu na pojemność, szybkość działania oraz oczywiście cenę. Tanie pamięci półprzewodnikowe oparte na układach scalonych cechują się niewielką szybkością działania. Szybkie pamięci mają zazwyczaj mniejsze pojemności przy dosyć dużej cenie. Z tych powodów szuka się ciągle nowych rozwiązań architektury komputerów, które pozwoliłyby na optymalną ich współpracę z posiadanymi na pokładzie pamięciami. Pewnym rozwiązaniem pamięci operacyjnych jest stosowanie dwóch rodzajów pamięci półprzewodnikowych, pamięci bardzo szybkich o małych pojemnościach, oraz pamięci wolniejszych o dużych pojemnościach, które nie są zbyt często czytane przez procesor. Dzięki temu będziemy posiadali pamięć operacyjną o dużej pojemności, a także o szybkim działaniu w przypadku procesów krytycznych do poprawnego działania systemu operacyjnego. Bardzo szybka pamięć o małej pojemności, która współpracuje z pamięcią operacyjną jest nazywana pamięcią typu Cache.


Również pobór mocy stanowi bardzo ważny parametr, który staje się problemem przy budowaniu urządzeń zasilanych bateryjnie, jak komputery kieszonkowe, laptopy. Również urządzenia wyposażone w pamięci operacyjne o bardzo dużych pojemnościach. Istnieje wtedy problem z połączeniem wielkiej liczby układów scalonych oraz z odpowiednim odprowadzeniem wydzielanego ciepła.


Pamięć zbudowana jest z rejestrów komórek pamięci, w których zapamiętane są słowa jednobitowe, czterobitowe lub bajtowe. W każdej komórce odpowiada jej adres, czyli numer zapisany w postaci dwójkowej, który oznacza położenie tej informacji w pamięci. Chcąc dokonać operacji odczytu lub zapisu na pamięci należy podać na wejścia adresowe tej pamięci odpowiedni numer komórki którą chcemy modyfikować lub odczytać, a na wejścia sterujące odpowiednią daną, w przypadku zapisu. Chcąc zaadresować 2n komórek pamięci należy użyć n wejść adresowych. Przykładowo do zaadresowania pamięci o pojemności 64KB, czyli 65536 bajtów, należy użyć 16 wejść adresowych. Jak wiadomo informacje są zapisywane w pamięci w postaci binarnej, dlatego najwygodniej jest używać liczb zapisanych w postaci szesnastkowej, zwanej też heksadecymalną. Każdy serwis komputerowy powinien posiadać pamięci w każdej specyfikacji.


Pamięci posiadają następujące piny wejścia/wyjścia:


Wejścia adresowe oznaczane A0….An, gdzie n - liczba wyprowadzeń potrzebna do zaadresowania 2n komórek pamięci.Wejścia/wyjścia informacji - danych D0.…Dm, gdzie m jest długością słowa zapisywanego pod jedną komórką pamięci.Wejścia sterujące, które służą do wyboru funkcji jaką pamięć ma wykonać. Są to wejścia WE - Write Enable, CS - Chip Selekt, CE - Clock Enable oraz OE - Output Enable.Wejścia strobu adresu: ALE - Adress Latch Enable, RAS - Row Adress Select, CAS - Column Adress Select.



Więcej informacji w kolejnej odsłonie.


---

Pomoc Drogowa Katowice



Artykuł pochodzi z serwisu www.Artelis.pl

Pamięci RAM - budowa i informacje ogólne cz.2

Pamięci RAM - budowa i informacje ogólne cz.2


Autorem artykułu jest RatujPC




W dzisiejszych czasach pamięć RAM realizowana jest sprzętowo, w postaci układów scalonych, które występują w różnych technologiach, także jako fragmenty znacznie bardziej złożonych układów scalonych, na przykład pamięć podręczna procesora.

Pamięci RAM z jakimi mamy najczęściej do czynienia znajdują swe największe zastosowanie w komputerach osobistych.


Pamięć RAM jest wykorzystywana do operacji ciągłego zapisu danych w postaci bajtu lub słowa, do tymczasowego zapamiętywania oraz odczytu informacji. Znając podstawy teorii automatów wiadomo, że każda czynność zapamiętywania pociąga za sobą stosowanie odpowiednich układów sekwencyjnych, w których informacje tego typu mogą być zapisywane, bądź odczytywane zgodnie z określoną kolejnością. Dostęp do danej komórki pamięci zależy od miejsca w którym się ona znajduje oraz czasu, który mija przed rozpoczęciem operacji zapisu lub odczytu.


Podział pamięci RAM


Rozróżniamy dwa podstawowe rodzaje pamięci RAM:


Pamięci statyczne - SRAM. Elementem pamiętającym w tego typu pamięci jest bistabilny przerzutnik asynchroniczny typu RS. Komórki wykonywane były dawniej w technologii bipolarnej, obecnie stosuje się specjalne układy MOS. Informacja w tych pamięciach jest utrzymywana dopóty, dopóki nie zostanie zastąpiona inną lub napięcie zasilające nie zostanie odłączone.Pamięci dynamiczne - DRAM. Elementem pamiętającym w tego typu pamięciach są pojemności wejściowe tranzystorów typu MOS, które gromadzą ładunek, lub go odprowadzają. Istnieje konieczność odświeżania tego typu pamięci w celu uzupełniania ładunku, który dosyć szybko zanika. Do poprawnej pracy tej pamięci nie wystarczy więc tylko podłączenie go do zasilania, w przypadku braku częstych cykli zapisu lub odczytu, zawartość komórki zostałaby stracona.


Pamięci DRAM możemy dodatkowo podzielić na kilka podtypów, w zależności od implementacji na:


EDO DRAM - Extended Data Out DRAMFPM DRAM - Fast Page Mode DRAMSDRAM - Synchroneus DRAMDDRGDDR


W pamięciach RAM poszczególne komórki są ułożone w wybierane liniami adresu wejściowego słowa. Dla łatwiejszego wyobrażenia sobie struktury pamięci, przedstawmy ją jako dwuwymiarową matrycę, która składa się z n słów zawierających m bitów, dodatkowo podzieloną na obszary robocze zwane strefami.


Dekodery wejścia oraz wyjścia kooperują z równoległymi rejestrami pamiętającymi przychodzące dane, ponieważ operacja odczytu i zapisu do pamięci trwa zwykle przez sporą ilość cykli zegarowych. Zawartości linii adresowej i danych mogą się w tym momencie zmienić, dzięki użyciu rejestrów o odpowiednich długościach, żadna z informacji nie jest tracona. Serwis komputerowy ma odpowiednie narzędzia ktore wykryją różnice i problemy w działaniu pamięci.


Zależnie od stanu logicznego na wejściu R/W komórki pamięciowe przyjmują informację z rejestru danych, następuje wtedy cykl zapisu pamięci, albo wyprowadzają na rejestr danych zawartość komórki pamięci, w cyklu odczytu. Rejestr przekazuje dalej informację lub ją odbiera z szyny danych, stanowi on zatem bufor dwukierunkowy.


---

Naprawa Komputera



Artykuł pochodzi z serwisu www.Artelis.pl

Pamięci RAM - pamięci DRAM

Pamięci RAM - pamięci DRAM


Autorem artykułu jest RatujPC




Informacje przechowywane są w pamięci DRAM, pod postacią ładunku zgromadzonego przez kondensator Cs. Na skutek rozładowania kondensatora, ustala na nim napięcie odpowiadające logicznemu zeru, natomiast poprzez proces ładowania, ustalone napięcie odpowiada jedynce logicznej.

Charakterystyka pamięci DRAM


Organizując adres jak na rysunku, komórka posiada wejście adresowe W dla wierszy, oraz pojedynczą linię danych wspólną dla komórek o adresie określanym przez kolumnę B. Wspólny dla kolumny adresowej B jest wzmacniacz odczytu. Po wybraniu komórki, na wejściach adresowych B oraz W ustala się stan wysoki, a pojemność Cs jest dołączana do linii danych. Podczas zapisu doprowadzane jest do niej napięcie ze wzmacniacza zapisu, które odpowiada logicznej jedynce lub zeru. Po fazie odczytu ładunek znajdujący się w pojemności Cs stopniowo ładuje dużo większą pojemność Cb, na którą składa się dodatkowo pojemność drenu, dlatego napięcie odczytu powinno być dużo wyższe od napięcia na kondensatorze Cs. Odczyt powinien być wzmacniany dobrym układem uzupełnionym o elementy odświeżające pamięć, które będą odświeżały poszczególne kolumny niezależnie od wykonywanego cyklu. Innym rozwiązaniem jest zastosowanie wielotranzystorowych komórek pamięciowych z dużo prostszym układem odświeżania oraz prostym wzmacniaczem odczytu/zapisu.


Typowa struktura pamięci dynamicznej, posiadającej pojemność 64 kilobitów, przedstawia się jako matryca zbudowana z 256 wierszy oraz 256 kolumn. Aby zmniejszyć liczbę wyprowadzeń pamięci dynamicznej oraz ułatwić jej odświeżanie, należy multipleksować wejścia adresowe. Adresowanie pamięci polega na podaniu ośmiu ważniejszych bitów adresu, co stanowi adres wiersza, następnie podawane są wartości ośmiu młodszych bitów, stanowiących adres kolumny. Adres wiersza wpisywany jest do rejestru wiersza przy opadającym zboczu sygnału ~RAS. Następnie dekoder adresu, którym jest zwykły multiplekser wybiera odpowiadający żądanemu adresowi wiersz. Podobnie adres kolumny wpisywany jest z wejść do rejestru kolumny po stwierdzeniu opadającego zbocza sygnału CAS. Demultiplekser wybiera odpowiednią kolumnę o żądanym adresie. Wybranie wiersza oraz kolumny w matrycy pamięciowej odpowiada wskazaniu jednej konkretnej komórki pamięci, przy zaoszczędzeniu połowy wyprowadzeń. Jeżeli podczas operacji wskazania adresu, na pinie WE był stan logicznego 0, to zawartość komórki przesyłana jest na wyjście układu, ma wtedy miejsce operacja odczytu. Gdy WE = 1 następuje zapis wejściowej informacji do komórki o podanym adresie.


---

Suknie Ślubne Katowice



Artykuł pochodzi z serwisu www.Artelis.pl

04 grudnia 2010

Pamięci RAM - przerwanie

Pamięci RAM- przerwanie


Autorem artykułu jest RatujPC




Przerwanie (ang. interrupt) lub żądanie przerwania (IRQ – Interrupt ReQuest) – sygnał powodujący zmianę przepływu sterowania, niezależnie od aktualnie wykonywanego programu.

Pojawienie się przerwania powoduje wstrzymanie aktualnie wykonywanego programu i wykonanie przez procesor kodu procedury obsługi przerwania (ang. interrupt handler).



Przerwania dzielą się na dwie grupy:


Sprzętowe: Zewnętrzne – sygnał przerwania pochodzi z zewnętrznego układu obsługującego przerwania sprzętowe; przerwania te służą do komunikacji z urządzeniami zewnętrznymi, np. z klawiaturą, napędami dysków itp.Wewnętrzne, nazywane wyjątkami (ang. exceptions) – zgłaszane przez procesor dla sygnalizowania sytuacji wyjątkowych (np. dzielenie przez zero); dzielą się na trzy grupy: faults (niepowodzenie) – sytuacje, w których aktualnie wykonywana instrukcja powoduje błąd; gdy procesor powraca do wykonywania przerwanego kodu wykonuje tę samą instrukcję która wywołała wyjątek;traps (pułapki) – sytuacja, która nie jest błędem, jej wystąpienie ma na celu wykonanie określonego kodu; wykorzystywane przede wszystkim w debugerach; gdy procesor powraca do wykonywania przerwanego kodu, wykonuje następną, po tej która wywołała wyjątek, instrukcję;aborts – błędy, których nie można naprawić. Programowe – z kodu programu wywoływana jest procedura obsługi przerwania; najczęściej wykorzystywane do komunikacji z systemem operacyjnym, który w procedurze obsługi przerwania (np. w DOS 21h, 2fh, Windows 2fh, Linux x86 przerwanie 80h) umieszcza kod wywołujący odpowiednie funkcje systemowe w zależności od zawartości rejestrów ustawionych przez program wywołujący, lub oprogramowaniem wbudowanym jak procedury BIOS lub firmware.



W następnym artykule trochę więcej w temacie.


---

Obsługa Informatyczna



Artykuł pochodzi z serwisu www.Artelis.pl

01 grudnia 2010

Pamięci RAM - pamięć wirtualna

Pamięci RAM- pamięć wirtualna


Autorem artykułu jest RatujPC




to mechanizm komputerowy zapewniający procesowi wrażenie pracy w jednym dużym, ciągłym obszarze pamięci operacyjnej podczas gdy fizycznie może być ona pofragmentowana, nieciągła i częściowo przechowywana na urządzeniach pamięci masowej.

Systemy korzystające z tej techniki ułatwiają tworzenie rozbudowanych aplikacji oraz poprawiają wykorzystanie fizycznej pamięci RAM. Często popełnianym błędem jest utożsamianie pamięci wirtualnej z wykorzystaniem pamięci masowej do rozszerzenia dostępnej pamięci operacyjnej. Rozszerzenie pamięci na dyski twarde w rzeczywistości jest tylko naturalną konsekwencją zastosowania techniki pamięci wirtualnej, lecz może być osiągnięte także na inne sposoby, np. nakładki lub całkowite przenoszenie pamięci procesów na dysk, gdy znajdują się w stanie uśpienia. Pamięć wirtualna działa na zasadzie przedefiniowania adresów pamięci tak, aby "oszukać" procesy i dać im wrażenie pracy w ciągłej przestrzeni adresowej.



Obecnie wszystkie systemy operacyjne ogólnego przeznaczenia wykorzystują techniki pamięci wirtualnej dla procesów uruchamianych w ich obrębie. Wcześniejsze systemy takie, jak DOS, wydania Microsoft Windows[1] z lat 80. oraz oprogramowanie komputerów mainframe z lat 60. nie pozwalały pracować w środowisku z pamięcią wirtualną. Godnymi odnotowania wyjątkami były komputery Atlas, B5000 oraz Apple Lisa.



Pamięć wirtualna wymaga wykonania pewnych dodatkowych nakładów pracy przy próbie odczytu lub zapisu, dlatego systemy wbudowane lub szczególnego przeznaczenia, gdzie czas dostępu jest czynnikiem krytycznym i musi być przewidywalny, często z niej rezygnują za cenę zmniejszonego determinizmu.


Stronicowana pamięć wirtualna


Prawie wszystkie istniejące obecnie implementacje dzielą wirtualną przestrzeń adresową procesu na strony. Strona jest to obszar ciągłej pamięci o stałym rozmiarze, zazwyczaj 4 KB. Systemy, gdzie zapotrzebowanie na wielkość wirtualnej przestrzeni adresowej jest większe lub dysponujące większymi zasobami pamięci operacyjnej mogą używać stron o większym rozmiarze. Rzeczywista pamięć operacyjna podzielona jest na ramki, których rozmiar odpowiada wielkości stron. System operacyjny według uznania może przydzielać ramkom strony pamięci lub pozostawiać je puste.


---

Serwis Laptopów Katowice



Artykuł pochodzi z serwisu www.Artelis.pl